近些年二维磁性材料作为构建多功能电子和自旋电子器件的理想平台，受到了广泛的关注。然而，目前报道的大多数二维磁性材料主要是通过机械剥离途径获得的。这类材料的直接合成仍然很少被报道，特别是在厚度控制合成到二维极限的情况下。近日，北京大学张艳锋课题组通过简单的化学气相沉积方法，通过精确控制Cr前驱体的投料速度和生长温度，实现了在化学惰性云母基板上合成厚度可调的纳米厚的菱面体Cr₂S₃薄片(≈1.9nm到数十纳米)。此外，作者研究发现，随着纳米片厚度的增加(从2.6到4.8nm，到＞7nm)，Cr₂S₃的导电行为从p‐型到双极型再到n‐型变化。该工作为二维磁性材料的可扩展合成、传输和磁性性质的探索提供了参考。

Fangfang Cui, Xiaoxu Zhao, Junjie Xu, Bin Tang, Qiuyu Shang, Jianping Shi, Yahuan Huan, Jianhui Liao, Qing Chen, Yanglong Hou, Qing Zhang, Stephen J. Pennycook, Yanfeng Zhang. Controlled Growth and Thickness‐Dependent Conduction‐Type Transition of 2D Ferrimagnetic Cr2S3 Semiconductors. Advanced Materials. 2019

DOI: 10.1002/adma.201905896

https://doi.org/10.1002/adma.201905896