砷化镓（GaAs）光伏（PV）电池由于具有薄膜可行性，柔性和高效率等优点而受到广泛研究。为了进一步提高其性能，已在两端（2T）串联配置中集成了更宽的带隙PV结构，例如磷化铟镓（InGaP）。但是，这增加了整体制造成本，复杂的隧道结二极管连接子电池是不可避免的，并且材料受到晶格匹配的限制。近日，汉阳大学Hui Joon Park、亚洲大学Jaejin Lee等人开发了具有与InGaP（1.8–1.9 eV）相当的带隙的高效且稳定的宽带隙钙钛矿PV，它可以作为稳定的低成本附加层，通过将效率从21.68%提高到24.27% (2T配置)和25.19% (4T配置)，进一步提高了GaAs pv作为串联配置的性能。这种方法对于薄膜GaAs光伏电池也是可行的，这对于降低其商业化制造成本至关重要，并在串联配置中性能从21.85％提高到24.32％，具有出色的柔韧性（弯曲1000倍）。此外，还考虑了达到30%以上稳定钙钛矿/砷化镓的潜在路线，与成本较低的InGaP/砷化镓相当。这项工作可以作为提高GaAs PV技术的可用性的第一步，并在不增加额外成本的情况下，提高应用程序的灵活性和灵活性。

Lee, J. Park, H. J. et al. Wide-Bandgap Perovskite/Gallium Arsenide Tandem Solar Cells. AEM 2019.

DOI:10.1002/aenm.201903085

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/aenm.201903085