金属卤化物钙钛矿对光伏和光电应用显示出优异的性能，而且太阳能电池和LED的效率超过20％。与熔融生长的半导体相比，经过溶液法制备的多晶半导体材料可能包含较大的缺陷密度。米兰理工大学Giulio Cerullo和剑桥大学Felix Deschler团队采用超快速多维光谱研究了金属卤化物钙钛矿CH3NH₃PbX₃（X = Br，I）的薄膜，以解决能带和缺陷态的动力学问题。研究观察到，在带边缘跃迁和亚带隙状态的连续体之间存在一个共享的基态，该状态在带边缘以下延伸了至少350 meV。结果表明，在导带激发的化合价上，这种亚带隙在大部分载流子寿命中会立即被淬灭，反之，几乎所有暗亚带隙态都可以通过光激发来填充。该观察结果有助于揭示这些材料新奇的光电特性的光物理起源。

Dark sub-gap states in metal-halide perovskites revealed by coherent multidimensional spectroscopy，JACS, 2019

https://doi.org/10.1021/jacs.9b07169

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.9b07169