有机-无机杂化钙钛矿（PVK）最近已经成为光电探测器的诱人材料。然而，差的稳定性和低电导率仍然限制了它们的实际应用。由于二维（2D）Ruddlesden-Popper PVK（2D PVK）的量子阱特性，可以设计出一种有前途的准2D PVK /铟镓锌氧化物（IGZO）异质结构光电晶体管。近日，湖南大学Xuming Zou、 Lei Liao、香港城市大学Johnny C. Ho等人通过使用简单的配体交换旋涂方法，在柔性基板上制造出了理想II型能带对准2D PVK，基于该PVK的器件在457 nm处表现出出色的光响应值> 105 A W^-1，并具有宽带光响应（457-1064 nm）。研究人员通过在耗尽状态下操作该研究人员，发现特定的探测灵敏度为5.1×10¹⁶ Jones，这是迄今为止报道的基于PVK光电探测器的最高记录值。由于准2D PVK中的电阻跳变壁垒，该器件还可以用作光电存储器，用于近红外信息存储。更重要的是，易于制造的过程非常有益，可以为检测器阵列提供大规模且均匀的准2D PVK / IGZO混合膜，且具有出色的环境和操作稳定性。该工作的器件架构为设计具有空前灵敏度的下一代柔性光电探测器提供了合理的途径。

Zou, X. Ho, J. C. Liao, L. et al. Flexible Quasi-2D Perovskite/IGZO Phototransistors for Ultrasensitive and Broadband Photodetection. AM 2019.

DOI:10.1002/adma.201907527

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201907527