紫外光电探测器（UV PDs）因其在工业和科学领域的广泛应用而受到广泛关注，包括火焰预警、污染物监测、水净化和人身保护等。在过去的几十年里，基于许多不同结构的半导体（如薄膜、纳米线和纳米颗粒），人们对各种高响应、高探测性、快速响应和恢复速度的紫外PDs进行了深入的研究。用热释电半导体制造的自供电pn结器件作为有源紫外线（UV）光电探测器（PD）因其具有高效节能、有源功能和超快响应速度的特点而备受关注。在此，华南师范大学王幸福和佐治亚理工学院王中林院士在p-Si上生长的热释电ZnO纳米线（NW）用作自供电UV PD。在没有外部电压的情况下，所制造的器件表现出稳定且均匀的紫外线感测能力，具有高的光响应性以及快速的响应和衰减时间。此外，系统地研究了环境温度对自供电UV PD的影响。在77 K的温度下，UV PD的电流响应显著改善了1304％以上，而在室温下仅增加了532.6％。在高于室温的温度下，即使温度从室温升高到85 °C，UV PD仍能以自供电和稳定的方式很好地发挥作用，显示出17.0 mA/W的良好光响应性和700 μs的快速响应时间。通过对pn结能量图的分析，详细阐述了自供电UV PDs的基本物理机制。该研究为高性能紫外传感和超快光电通信的研究提供了指导意义。

Jianqi Dong, Zhengjun Wang, Xingfu Wang, Zhong Lin Wang. Temperature dependence of the pyro-phototronic effect in self-powered p-Si/n-ZnO nanowires heterojuncted ultraviolet sensors. Nano Today 2019, 29.

DOI: 10.1016/j.nantod.2019.100798

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https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1748013219303184