近日，韩国亚洲大学Soonil Lee等人研究了平面MAPbI3太阳能电池在0.01到1个太阳强度变化下的运行情况。测得的J-V曲线由漂移主导范围内的空间电荷限制电流（SCLC）和扩散主导范围内的二极管状电流组成。 SCLC的幂律指数的变化表明，随着强度的增加，缺陷所捕获的电荷会减少，漂移电流最终几乎变为欧姆。使用改良的Shockley方程模型分析二极管状电流，通过测量和估计开路电压的比较，验证了该方法的有效性。理想因子的强度依赖性可以得出以下结论：还有另外两种类型的缺陷，它们主要是作为重组中心。在低强度下，除双分子重组外，由于这些缺陷之一，还发生了单分子重组，导致理想因子约为1.7。但是，在高强度下，另一种缺陷不仅接管了单分子重组，而且主导了双分子重组，从而导致了约2.0的理想因子。这些理想因子值与用恒定内量子效率近似估计的损耗电流比的强度依赖性值一致。。阻抗谱的等效电路分析结果证实了多种缺陷的存在。

Lee, S. et al. Light Intensity-dependent Variation in Defect Contributions to Charge Transport and Recombination in a Planar MAPbI3 Perovskite Solar Cell. Scientific Reports 2019.

DOI:10.1038/s41598-019-56338-6

https://www.nature.com/articles/s41598-019-56338-6