掺杂相关电子系统中的单原子调控可以帮助弄清掺杂剂，结构缺陷和晶体学特征对局部电子态的影响。然而，这些材料中的高扩散阻挡层限制了常规的调控技术。巴黎第十一大学F. Massee团队报道了使用扫描隧道显微镜尖端的局部电场可逆地操纵最佳掺杂的高温超导体中的选择位点的可能性。研究表明，当单个Bi原子在表面上移动时，与超导相关的光谱间隙可逆地变化多达15 meV（平均占总间隙尺寸的5％）。 该模型捕获了所有观察到的特征，表明该电场在CuO₂平面中引起局部配对电位的横向运动。

Atomic manipulation of the gap in Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+x, Science, 2020

DOI: 10.1126/science.aaw7964.

https://science.sciencemag.org/content/367/6473/68