应变工程是一种强大的工具，可用来增强半导体器件的性能。卤化物钙钛矿由于其非凡的电子和光电特性，已在器件应用中显示出巨大的前景。尽管已有尝试对钙钛矿卤化物施加应变，包括使用静水加压、电致伸缩、退火、范德华力、热膨胀失配以及热诱导的底物相变，但由于缺乏合适的晶格不匹配的外延衬底，通过化学外延对卤化钙钛矿进行可控的，与设备兼容的应变工程仍然是一个挑战。加利福尼亚大学圣地亚哥分校学校Sheng Xu团队报道了晶格不匹配的卤化物钙钛矿衬底上卤化物钙钛矿单晶薄膜的应变外延生长。研究人员使用实验技术和理论计算方法研究了α-FAPbI3的应变工程。通过调整基底成分以及晶格参数，可将高达2.4％的压缩应变施加到外延α-FAPbI3薄膜上。研究证明，该应变有效地改变了晶体结构，减小了带隙并增加了α-FAPbI3的空穴迁移率。由于外延稳定和应变中和的协同作用，应变外延还显示出对α-FAPbI3相具有显著的稳定作用。例如，应用应变工程技术来增强基于α-FAPbI3的光电探测器的性能。
Strain engineering and epitaxial stabilization of halide perovskite, Nature, 2020
https://www.nature.com/articles/s41586-019-1868-x
