二维(2D)过渡金属双卤化合物(TMD)异质结半导体，因其对电子行为的灵活调制而具有广阔的应用前景。然而，对这些TMD异质结半导体的研究通常只局限于其合成方法和光电性质，缺乏从原子层次探索无序的形成和控制的深入理论指导。除了化学和结构组成等固有材料特性的局部涨落所引起的常规无序外，长程基于声子无序的基本概念已在单层TMD的均相结构中得以确定。在此，香港理工大学的Bolong Huang等人提出了在更复杂的WSe2/WS2横向异质结系统中，导致宏观结构中纹波形成的经典的长程p-p耦合效应。从原子的角度出发，界面边缘独特的点阵运动，引发了长程无序。这类长程p-p耦合通过Forcite的大尺度模拟和COMSOL的实际同等实验规模模拟中得到了证实，支持了它们在调节电子行为方面的关键作用。这项工作弥补了理论研究和实验合成之间的知识空白，对今后制备性能优异的二维异质结半导体具有重要意义。
M. Sun, T. Wu, B. Huang, Anion charge density disturbance induces inplane instabilities within 2D lateral heterojunction of TMD: an atomic view, Nano Energy.
DOI：10.1016/j.nanoen.2020.104484.
https:// doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.104484.
