Angew:具有显著K+离子存储能力的碳阳极的位置选择性掺杂策略
水淼99 水淼99 2020-01-14

       石墨的钾离子插层能力有限,阻碍了钾离子电池(PIB)的发展。边缘氮掺杂(吡咯和吡啶)已被证明是增强碳质材料中钾离子存储的有效途径。现有方法的一个主要缺点是缺乏对生产边缘氮结构的精确控制。在这项工作中,阿卜杜拉国王大学的Husam N. Alshareef等人提出了一种分子尺度的共聚物热解策略,以精确控制碳质材料中的边缘氮掺杂。该研究的优化工艺得到了缺陷丰富的边缘氮掺杂碳(ENDC),其氮掺杂水平高达10.5 at. %,高边缘氮比为87.6%。优化后的ENDC具有高可逆容量,达到423 mAh g-1,高初始循环效率为65%,优越的移动能力,长循环寿命(3个月后的保留率93.8%)。这种通过共聚物的热解的边缘氮控制策略可以扩展用来设计其他边缘杂原子的碳原子,从而有效地用于储存各种移动离子。

Wenli Zhang, Zhen Cao, Wenxi Wang, Eman Alhajji, AbdulHamid Emwas, Pedro Costa, Luigi Cavallo, and Husam N. Alshareef. Site-Selective Doping Strategy of Carbon Anodes with Remarkable K-Ion Storage Capacity. Angew. Chem. Int. Ed. 10.1002/anie.201913368.

DOI: 10.1002/anie.201913368

http://dx.doi.org/10.1002/anie.201913368

加载更多
2044

版权声明:

1) 本文仅代表原作者观点,不代表本平台立场,请批判性阅读! 2) 本文内容若存在版权问题,请联系我们及时处理。 3) 除特别说明,本文版权归纳米人工作室所有,翻版必究!
水淼99

醉心科研,求带

发布文章:142篇 阅读次数:227525
纳米人
你好测试
copryright 2016 纳米人 闽ICP备16031428号-1

关注公众号