硒化铟(In₂Se₃)因其与厚度相关的直接带隙和光电子特性，而成为电子和光电子领域的重要半导体。然而，无缺陷的In₂Se₃薄片的可扩展的合成仍然是其实际应用的一个重要障碍。Technische Universität Dresden的Sheng Yang & Xinliang Feng等人提出了一种在非水介质中In₂Se₃晶体体层状超快分层的电化学策略，得到了大型横向尺寸(26 µm)，高达83%生产收益率的无缺陷In₂Se₃薄片。tetrahexylammonium(THA⁺)离子主要用于创造阶段‐3插入化合物，其中每三层In₂Se₃被一层THA分子占据。随后的剥落导致大部分形成了三层结构的In₂Se₃纳米薄片。作为概念的证明，溶液处理的大面积(400μm×20μm)薄膜光电探测器嵌入剥落的In₂Se₃薄片，显示出超快的上升和衰减的时间，分别为41和39ms，有效响应率（1mA W^-1）。这种性能超过了大多数目前最先进的基于过渡金属双卤代烃的薄膜光电探测器。

Huanhuan Shi，Mengmeng Li，Ali Shaygan Nia，Mingchao Wang，SangWook Park，Zhen Zhang，Martin R. Lohe，Sheng Yang，Xinliang Feng. Ultrafast Electrochemical Synthesis of Defect‐Free In2Se3Flakes for Large‐Area Optoelectronics. Advanced Materials.

DOI: 10.1002/adma.201907244