二维（2D）半导体因其固有的柔韧性和高电性能而在柔性电子学中具有广阔的前景。然而，缺乏高迁移率的二维半导体薄膜的易合成方法和简便的器件制造方法仍然阻碍了其实际应用。

鉴于此，北京大学的彭海琳和南开大学Jinxiong Wu团队开发了一种合成高迁移率半导体氧化硒（Bi₂O₂Se）薄膜的简便，快速且可扩展的溶液辅助方法。这是通过Bi(NO₃)₃•₅H₂O前体溶液的硒化和分解来合成高迁移率Bi₂O₂Se薄膜。只需通过改变前驱体溶液的旋转速度，就可以将Bi₂O₂Se薄膜的厚度精确地控制到很少的原子层。合成后的Bi₂O₂Se薄膜在室温下表现出约74 cm² V^-1 s^-1的高霍尔迁移率，这远远优于其他2D薄膜半导体，例如过渡金属二卤化物（TMDC）。值得注意的是，在平坦和弯曲的基底上重复进行电气测量后，柔性的顶部栅极Bi₂O₂Se晶体管显示出优异的电气稳定性。此外，在白云母基板上的Bi₂O₂Se晶体管器件可以轻松转移到柔性聚氯乙烯（PVC）基底上。高迁移率薄膜半导体的集成，出色的稳定性以及易于转移到柔性基底上的优势使得Bi₂O₂Se成为未来柔性电子产品的竞争者。

High-mobility flexible oxyselenide thin-film transistors prepared by solution-assisted method. J. Am. Chem. Soc. 2020

https://doi.org/10.1021/jacs.9b11668