具有高导热率（κ）的材料具有技术重要性和基本利益。麻省理工学院Gang Chen 和波士顿学院David Broido团队在立方氮化硼（cBN）晶体中控制了硼同位素的丰度，并在室温下测量了富集¹⁰B或¹¹B的样品中κ大于1,600 W/(m^.K)。相比之下，研究发现磷化硼和砷化硼的κ同位素增强幅度要低得多，因为相同的同位素质量紊乱对声子越来越不可见。超高κ及其宽带隙（6.2 eV）使cBN成为微电子热管理，高功率电子和光电应用的有前途的材料。

Ultrahigh thermal conductivity in isotope-enriched cubic boron nitride,

Science, 2020.

DOI: 10.1126/science.aaz6149.

https://science.sciencemag.org/content/367/6477/555