溶液过程制备的金属卤化物钙钛矿（MHP）具有色域宽，色纯度高，发射波长可调，电子/空穴传输平衡等优点，在发光二极管（LED）中的应用引起了广泛关注。尽管MHP非常耐受缺陷，但钙钛矿LED（PeLED）中的缺陷仍然会导致严重的非辐射复合和较差的器件稳定性。近日，中国科学技术大学Zhengguo Xiao等人报道了钙钛矿中铅和卤化物缺陷双重钝化的添加剂分子设计。作者通过使用简单的溶液法合成了一种双功能添加剂4-氟苯基甲基三氟乙酸铵（FPMATFA）。 TFA阴离子和FPMA阳离子可以分别与未配位的铅和卤化物离子键合，从而导致铅和卤化物缺陷双重钝化。另外，庞大的FPMA基团可以限制3D钙钛矿的晶粒生长，从而提高电子-空穴捕获率和辐射复合率。基于FPMATFA的FA_0.33Cs_0.67Pb（I_0.7Br_0.3）₃）的器件实现了20.9％外量子效率，发射波长为694 nm。此外，由于钙钛矿膜中的陷阱密度降低，PeLED的使用寿命也大大提高。

Xiao, Z. et al. Dual Passivation of Perovskite Defects for Light‐Emitting Diodes with External Quantum Efficiency Exceeding 20%. AFM 2020.

DOI:10.1002/adfm.201909754

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.201909754