宽带隙金属卤化物钙钛矿有望将半导体与串联太阳能电池中的硅配对，以追求以低成本实现大于30％的功率转换效率（PCE）的目标。但是，宽带隙钙钛矿太阳能电池从根本上受到了光致相分离和低开路电压的限制。鉴于此，科罗拉多大学Michael D. McGehee和徐集贤(现就职于中国科学技术大学)团队报道了使用三卤化物（氯，溴，碘）可有效地形成1.67 eV宽带隙钙钛矿顶部电池，以调整带隙并稳定半导体在光照下的稳定性。
本文要点：
1）通过增加溴的碘含量来缩小晶格参数，从而提高了氯的溶解度，从而使光子的寿命和电荷的迁移率提高了2倍。即使在100阳光照射强度下，薄膜中的光诱导相偏析也得到抑制，并且在60°C的最大功率点（MPP）运行1000小时后，半透明顶部电池的降解小于4％。
2）通过将这些顶部电池与硅底部电池集成在一起，在面积为1 cm2的两端单片式串联中实现了27％效率。
Jixian Xu et al. Triple-halide wide–band gap perovskites with suppressed phase segregation for efficient tandems, Science, 2020.
DOI: 10.1126/science.aaz5074.
https://science.sciencemag.org/content/367/6482/1097
