六方氮化硼（hBN）是具有较大带隙的绝缘二维（2D）材料，该材料在2D电子产品中的潜在用途受到其绝缘性的限制。近日，韩国蔚山科学技术研究院Zonghoon Lee，蔚山基础科学研究所Suklyun Hong等合作，报道了化学气相沉积法（CVD）合成的少层hBN在AA'/ AB堆积边界处的原子级尖锐孪晶界，并对其进行了研究。
本文要点：
1）作者采用CVD法在铜基底上合成了少层hBN膜，并将其转移到TEM网格上。
2）研究发现，孪晶界由6'6'构型组成，显示出带隙为零的导电特征。基于AB堆积的hBN层边界处延伸的Klein边缘的观察，通过类比AA'/ AB的堆积组合，作者提出了原子级尖锐的孪晶界的形成机理。
3）原子级尖锐的AA'/ AB堆积边界有望作为嵌入绝缘初始hBN中的最终一维电子通道。
该工作为单hBN电子设备的制造铺平了道路。
Hyo Ju Park, Janghwan Cha, et al. One-dimensional hexagonal boron nitride conducting channel. Sci. Adv. 2020,
DOI: 10.1126/sciadv.aay4958
