二维（2D）二硒化钯（PdSe₂）具有很强的层间耦合和褶皱的五边形结构，从而导致其具有非同寻常的层相关电子结构以及高度各向异性的面内光学和电子特性。但是，由于缺乏自下而上生长的高质量2D PdSe₂晶体，因此对其奇特性能和实际应用的研究受到了限制。近日，中国科学院大学金Kai Xiao等报道了利用化学气相沉积法在不同基底上生长少层（≥2层）高结晶度的PdSe₂晶体。

本文要点：

1）作者采用低频拉曼光谱，扫描透射电子显微镜和电学表征证实了PdSe₂晶体的高质量，并采用偏振极化拉曼光谱和PdSe₂薄片的二次谐波生成图证明了制备的PdSe₂晶体具有强的面内光学各向异性。

2）作者建立了基于动力学Wulff构造理论和密度泛函理论计算的理论模型，描述了观察到的“正方形”PdSe₂晶体向菱形的演变，这是由于（1,1）和（1−-1）边缘较高的成核势垒，导致它们的生长速度变慢。

3）少层PdSe₂场效应晶体管显示出其可调谐的双极性电荷载流子传导，其电子迁移率高达≈294cm² V^-1 s^-1，与剥离的PdSe₂相当，表明这种各向异性的二维2D材料可用于电子产品。

Yiyi Gu, et al. Two‐Dimensional Palladium Diselenide with Strong In‐Plane Optical Anisotropy and High Mobility Grown by Chemical Vapor Deposition. Adv. Mater., 2020,

DOI: 10.1002/adma.201906238

https://doi.org/10.1002/adma.201906238