MXenes是一类新兴的2D过渡金属碳化物和氮化物，其通用公式为M_n+1X_nT_x (n = 1-4)，由于它们具有二维结构的固有特性、高的态密度和高的功函数，有在内存设备中作为浮栅的应用潜力。近日，延世大学的Jeong Ho Cho等人通过对MXene表面氧化的确定性控制，合成了一系列MXene-TiO₂核壳纳米片。

本文要点：

1）纳米浮栅晶体管存储器(NFGTM)中的浮栅(多层MXene)和隧穿层(TiO₂)是通过一种简便、低成本和水基工艺同时制备的。

2）通过调整在MXene表面形成氧化层的厚度，优化记忆性能。制备的MXene NFGTMs具有良好的非易失性内存特性，包括大内存窗口(>35.2 V)、高编程/擦除电流比(10⁶)、低关断电流(<1 pA)、长保持时间(>10⁴ s)和持久循环性(300个周期)。

3）此外，利用MXene NFGTMs成功地模拟了突触功能，包括兴奋性突触后电流/抑制性突触后电流、配对脉冲促进和突触可塑性(长期增强/抑制)。

4）MXene氧化的成功控制及其在NFGTMs中的应用，有望激发MXene作为数据存储介质在未来存储设备中的应用。

Lyu, B., Choi, Y., Jing, H., Qian, C., Kang, H., Lee, S., Cho, J. H., 2D MXene–TiO₂ Core–Shell Nanosheets as a Data‐Storage Medium in Memory Devices. Adv. Mater. 2020, 1907633.

DOI: 10.1002/adma.201907633

https://doi.org/10.1002/adma.201907633