石墨烯和类石墨烯二维材料的发现为光催化领域带来了新的活力。半导体的带隙工程是可使其更适合光催化和光电等特定应用的有效方法。实现对带隙的控制有助于改善半导体材料的光吸收能力，从而改善光催化性能。近日，天津大学Wei Feng，Yiyu Feng等报道了可调带隙的-H/-OH末端取代的二维siligenes（gersiloxenes），并研究了它的光催化性能。
本文要点：
1）作者对钙，锗和硅进行化学计量比的退火制备的无支撑Ca（Ge1-xSix）2合金进行拓扑化学转变而合成了-H/-OH末端取代的无支撑二维siligenes，−H/−OH (Ge1−xSixH1−y(OH)y, x=0.1−0.9)，并命名为gersiloxenes。
2）实验发现，所有的gersiloxenes都是直接能隙半导体，具有宽广的光吸收范围和合适的能带位置，可在温和条件下光驱动水还原为H2，并将CO2还原为CO。
3）具有最佳性能的gersiloxene光催化CO2还原生成CO的速率可达6.91 mmol g-1 h-1，并且在420 nm处具有最佳的表观量子效率（AQE）5.95％。
该工作为光催化二维新材料的发现，研究和应用开辟新的道路。
Fulai Zhao, et al. Two-dimensional gersiloxenes with tunable bandgap for photocatalytic H2 evolution and CO2 photoreduction to CO. Nat. Commun. 2020,
DOI: 10.1038/s41467-020-15262-4
