AM: 大尺寸二维单晶的设计生长
芣苢 西瓜 2020-03-21

在“post-Moore's Law”时代,人们期望新材料带动电子和光电子学下一代革命性技术的发展,其中二维材料由于其具有原子级的厚度,优异的性能以及与传统金属氧化物半导体处理技术互补的兼容性,从而在逻辑,存储,光电和光子2D器件的制造方面具有巨大的潜力,被认为是超越体相材料的非常有前途的候选材料。大尺寸的2D单晶是材料是高度集成的2D器件的大规模应用中的最终质量和性能高度一致的前提。但是目前将所有2D单晶生长到晶圆级仍然非常困难。因此,进一步建立对各种2D单晶的受控生长的系统理解至关重要。有鉴于此,北京大学Kaihui Liu团队对大尺寸二维单晶的设计生长领域进行了总结。

本文要点:

1作者总结了生长晶体的四个关键部分,即成核控制,促进生长,表面工程和相控制,它们在生长期间的不同时期是可控的。

2此外,作者还讨论了2D单晶的设计生长和潜在应用,表明这些先进的2D单晶材料的光明前景。

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Can Liu, et al. Designed Growth of Large‐Size 2D Single Crystals. Adv. Mater., 2020,

DOI: 10.1002/adma.202000046

https://doi.org/10.1002/adma.202000046

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