钙钛矿金属卤化物有望作为下一代高品质照明和高清晰度显示器的发光材料。高质量钙钛矿材料的制备和器件结构的设计对于实现高效率、高稳定的钙钛矿发光二极管（LED）至关重要。近日，吉林大学William W. Yu、Yu Zhang，香港城市大学Andrey L. Rogach等人对CsPbI₃量子点和其器件结构进行优化设计，实现了低效率滚降的顶发射CsPbI₃ LED。

本文要点：

1）将乙酰丙酮锆用作共前体合成的CsPbI₃量子点（QDs），其光致发光量子效率可提高到90％以上。

2）利用底部电极和顶部电极之间的强微腔共振，设计具有高导热率（以更好地消散在高电流密度下产生的焦耳热）的Si衬底上的顶部发射器件结构，以提高光提取效率。

3）基于这些改进，Zr修饰的CsPbI₃ LED在108 mA cm^–2的电流密度下显示出13.7％的外部量子效率（EQE），峰位为686 nm。并具有低效率滚降（在500 mA cm^–2的高电流密度下保持12.5％的EQE）和14 725 cd m^–2的高亮度，稳定性得到显著地提高。

Min Lu, et al. Bright CsPbI₃ Perovskite Quantum Dot Light-Emitting Diodes with Top-Emitting Structure and a Low Efficiency Roll-Off Realized by Applying Zirconium Acetylacetonate Surface Modification. Nano Lett. 2020.

DOI:10.1021/acs.nanolett.0c00545

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.0c00545