钙钛矿薄膜的形貌，晶体尺寸和陷阱密度影响着钙钛矿发光二极管（PeLED）的发光性能。近日，延世大学Jae-Min Myoung等人将4-氨基苄腈（ABN）配体引入到前驱体改善了基于MAPbBr₃ PeLED的性能。使用适当的配体处理钙钛矿层和优化电荷传输层对于开发高性能PeLED具有巨大的潜力。

本文要点：

1）4-氨基苄腈（ABN）配体可以减小MAPbBr₃晶体尺寸并降低陷阱密度。

2）使用具有亲水性聚合物的表面改性空穴传输层（HTL），可进一步改善PeLED的性能。所制备的器件的最大亮度为3350 cd / m²，外部量子效率为8.85％。

Hee Ju An, et al. High-Performance Green Light-Emitting Diodes Based on MAPbBr3with π-Conjugated Ligand. ACS AMI 2020.

DOI:10.1021/acsami.0c02923

https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsami.0c02923