Bi³⁺和镧系元素离子已共掺杂在金属氧化物中作为光敏剂和发光体。但是这种共掺杂在诸如Si，GaAs和CdSe的典型半导体中是未知的。配位数为6的金属卤化物钙钛矿提供了掺杂Bi³⁺和镧系元素离子的机会。印度科学教育研究所Sudip Chakraborty和印度理工学院Angshuman Nag等人提出了Bi³⁺和Ln³⁺（Ln = Er和Yb）在Cs₂AgInCl₆双钙钛矿中的共掺杂。

本文要点：

1）Bi³⁺-Er³⁺共掺杂的Cs₂AgInCl₆在1540 nm处显示Er³⁺ f-电子发射（适用于低损耗光通信）。Bi³⁺共掺杂会降低激发（吸收）能，因此样品可以用大约370 nm激发。在该激发下，Bi³⁺-Er³⁺共掺杂的Cs₂AgInCl₆大约为发射强度是掺Er^{3 +}的Cs₂AgInCl₆的45倍。

2） 在Bi³⁺-Yb³⁺共掺杂样品中在994 nm处发射也观察到了相似的结果。结合温度依赖性（5.7 K至423 K）的光致发光和计算方法，可以了解光敏化和发射过程。

Habibul Arfin et al. Bi³⁺‐Er³⁺ and Bi³⁺‐Yb³⁺ Codoped Cs₂AgInCl₆ Double Perovskite Near Infrared Emitters，Angew, 2020.

DOI: 10.1002/anie.202002721.

https://doi.org/10.1002/anie.202002721