晶格极性是六方半导体（如GaN）的关键点。不幸的是，到目前为止，Ga极性GaN仅能在石墨烯上实现。近日，吉林大学Yuantao Zhang、北京大学Kaihui Liu、Xinqiang Wang等人报道了分子束外延法在非极性蓝宝石衬底转移石墨烯上制备高质量N极性GaN薄膜。

本文要点：

1）通过原子氮辐射来实现，在石墨烯中形成C-N键，并为GaN提供成核位点，并导致N极性GaN外延。

2）N极性特性通过化学蚀刻和透射电子显微镜测量得到证实。由于InGaN在N极性时的生长温度高于Ga极性，因此在石墨烯辅助的衬底上制造了绿色发光二极管，在该衬底上观察到发射波长较大的红移。

3）这些结果为基于2D材料的III族氮化物薄膜的极性调制开辟了一条新途径，也为在更长波长的发光器件中的潜在应用铺平了道路。

Fang Liu, et al. Graphene‐Assisted Epitaxy of Nitrogen Lattice Polarity GaN Films on Non‐Polar Sapphire Substrates for Green Light Emitting Diodes. AFM 2020.

DOI:10.1002/adfm.202001283

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adfm.202001283