绝缘体上无转移石墨烯的可扩展合成，为下一代电子和光电子学的研究提供了巨大的机会。然而，合理设计合成方案以获得直接生长的晶圆级石墨烯规模生产仍然是一项艰巨的挑战。

有鉴于此，北京大学，北京石墨烯研究所刘忠范院士，苏州大学孙靖宇教授报道了通过在石英上直接进行化学气相沉积（CVD），探索了具有晶圆级均匀性的大面积石墨烯的批量合成方法。

文章要点：

1）这种可控的CVD方法可以批量合成30块4英寸的石墨烯晶片，同时晶片具有较低的光学和电气特性波动。

2）计算流体动力学模拟揭示了石墨烯均匀增长的机理，即热场和密闭流场在实现批料均匀性方面起着主导作用。

3）所得的晶圆级石墨烯能够直接用作光学元件中的关键组件。同时方法适用于其他类型的绝缘基板（例如，蓝宝石，SiO2/Si，Si3N4），为以经济方式直接制造石墨烯晶圆开辟了新的途径。

Jiang, B., Zhao, Q., Zhang, Z. et al. Batch synthesis of transfer-free graphene with wafer-scale uniformity. Nano Res. (2020).

DOI：10.1007/s12274-020-2771-3

https://doi.org/10.1007/s12274-020-2771-3