具有高强度和高导电性的自支撑薄膜对于柔性电子产品至关重要，例如电磁干扰（EMI）屏蔽涂层以及电池和超级电容器的集电器。2D Ti₃C₂T_x薄片由于具有高强度和金属导电性，因此是制造导电膜的理想选择。然而，由于基于溶液的加工过程中小薄片尺寸和相对较差的薄片排列，使得将将具有优异性能的单个MXene薄片转移到大尺寸薄膜上具有挑战性。

有鉴于此，澳大利亚迪肯大学Joselito M. Razal报道了使用叶片涂布法在不使用任何粘合剂或添加剂的情况下具有增强的强度和导电性的高性能自立式MXene膜。

文章要点

1）使用大的Ti₃AlC₂ MAX相粒子（超过10 µm）合成平均横向尺寸为10±2.1 µm的MXene薄片。这些较大的Ti₃C₂T_x薄片在水分散液中形成溶致液晶，并随着剪切速率的增加而显示出高粘度和良好的流动性，这使得刀片在涂布过程中在剪切力的作用下能够对准薄片。

2）940 nm厚度的薄膜上显示出高达570 MPa的创纪录拉伸强度，而214 nm厚度的薄膜上的电导率在15100 S cm^-1上，与先前报道的纯Ti₃C₂T_x薄膜相比，这两个值都是最高的。

3）该薄膜还具有出色的EMI屏蔽性能（对于940 nm厚薄膜约为50 dB），超过了其他具有可比厚度的合成材料。

排列成薄片的MXene薄膜为生产大面积，高强度和高导电性的MXene基薄膜提供了一条有效的途径，可用于未来的电子应用。

Zhang, J., et al, Scalable Manufacturing of Free‐Standing, Strong Ti3C2Tx MXene Films with Outstanding Conductivity. Adv. Mater. 2020,

DOI：10.1002/adma.202001093

https://doi.org/10.1002/adma.202001093