分子铁电材料因其简便，环保的加工，低声阻抗和机械柔韧性而备受关注。它们的铁电机理主要归因于分子的有序-无序过渡，例如球形1,4-二氮杂双环[2.2.2]辛烷（DABCO）和喹啉。东南大学的熊仁根（南昌大学）和游雨蒙等人报道了两种分子铁电体[HDABCO] [TFSA]及其氘代的一种[DDABCO] [TFSA]（TFSA =双（三氟甲基磺酰基）铵），其铁电性是由质子有序触发的。

本文要点：

1）这是质子第一次在基于DABCO的铁电材料中表现出具有双阱势的热波动稳定性。较大的氘同位素效应（ΔT=〜53 K）不仅证明它们是氢键合的铁电体，而且还将铁电体的工作温度范围扩展至室温。

2）得益于质子转移的低能量，100 kHz的超快速极化切换和1 V的超低矫顽电压（远远低于商用铁电设备所需的5 V）使[DDABCO] [TFSA]具有低电压，高速运行的存储设备的潜力。这项工作应激发对具有低功耗信息存储的柔性和可穿戴设备中氢键合分子铁电材料的进一步探索。

Xian-Jiang Song et al. Bistable State of Protons for Low-Voltage Memories, J. Am. Chem. Soc. 2020.

DOI: 10.1021/jacs.0c02924.

https://doi.org/10.1021/jacs.0c02924