钙钛矿发光二极管（LED）在高电流密度下会导致器件的效率显著下降，部分归因于焦耳热。近日，苏州大学Tao Song、Baoquan Sun等人使用单晶硅（c-Si）作为衬底和电荷注入层来减轻钙钛矿LED（PeLED）的热影响，降低了效率滚降。

本文要点：

1）引入氧化硅（SiO_x）和TFB层来调整电荷注入平衡，基于c-Si的PeLED外部量子效率为2.12％，电流效率为6.06 cd A^-1。

2）受益于c-Si的出色散热，降低了效率滚降，并延长了使用寿命。此外，基于c-Si的PeLED的电致发光动态信息显示和静态图案显示均得到了成功的展示。

Hao Xu, et al. Prominent Heat Dissipation in Perovskite Light-Emitting Diodes with Reduced Efficiency Droop for Silicon-Based Display. JPCL 2020.

DOI:10.1021/acs.jpclett.0c00792

https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.jpclett.0c00792