插层化学/工程已被广泛研究应用在电化学储能技术中。通过新的卤素插层，使得石墨作为插层主体，再次受到了极大的关注。然而，开发新的插层主体并优化插层效果仍然是一个巨大的挑战。
有鉴于此，郑州轻工业大学方少明教授，郑州大学Xuezhao Wang，中科院金属所李峰研究员报道了一种绿色合成方法，通过在室温下，在铜箔上插入季铵盐CTAB来生长高质量的单斜晶Cu2Se纳米片阵列。
文章要点
1）以铜箔为基材和铜源，强NaOH溶液使铜箔表面的一部分形成Cu(OH)42-，然后被NaBH4还原为Cu+，紧接着然后Cu+与Se2-和CTAB反应以制备Cu2Se–CTAB纳米片阵列（表示为CCNAs）。
2）CTAB在Cu2Se中的插入扩展了（004）平面的层间空间，并改善了电化学钠离子存储性能，包括出色的倍率性能和出色的循环稳定性。当用作钠离子电池的电极材料时，Cu2Se-CTAB纳米片阵列具有出色的放电容量和倍率能力（0.1 A g-1时为426.0 mAh g-1，30 A g-1时为238.1 mAh g-1） ，以及在6500次循环后，在20 A g-1下的高容量保持率约为90％。
3）得益于多孔阵列结构，Cu2Se纳米片的表面促进了电解质的运输。特别地，插入Cu2Se的层间空间中的CTAB可以增加其缓冲空间，稳定聚硒化物穿梭，并防止其在电化学过程中Cu纳米颗粒的快速生长。
Yuanhua Xiao, et al, A Nanosheet Array of Cu2Se Intercalation Compound with Expanded Interlayer Space for Sodium Ion Storage, Adv. Energy Mater. 2020
DOI: 10.1002/aenm.202000666
https://doi.org/10.1002/aenm.202000666
