CsPbI₂Br钙钛矿型太阳能电池由于其效率的快速发展以及作为串联型太阳能电池的顶部电池潜力而备受关注。但是，到目前为止，在大多数情况下观察到的Voc输出与顶层电池所需的Voc输出相差甚远。到目前为止，通过各种处理，已报道的最高Voc仅为1.32 V，Voc缺陷为0.60 V。桐阴横浜大学Tsutomu Miyasaka和 Zhanglin Guo等人研究发现用于电子传输层的SnCl₂前体溶液的老化可以促进CsPbI₂Br的Voc。

本文要点：

1）太阳能电池采用无掺杂聚合物HTM，效率超过15.5％，开路电压在1.4V以上，具有高再现性。在1.43 V的Voc的情况下，首次实现Voc缺陷小于0.50 V。这种简单的SnCl₂溶液老化技术形成了具有纯Sn⁴⁺的均匀，光滑的非晶SnOx膜，提高了SnOx的导带，并减小了器件的界面间隙和陷阱态密度，在老化后，平均Voc从〜1.2 V提高到1.4 V。

2） 此外，使用老化的SnCl₂溶液的设备还显示出比新鲜溶液更好的长期稳定性。这些在无掺杂/无添加剂的CsPbI₂Br太阳能电池中的研究进展对于将来对CsPbI₂Br和串联太阳能电池的研究很有用。

Zhanglin Guo et al. V_oc over 1.4 V for amorphous tin oxide-based dopant-free CsPbI2Br perovskite solar cells, J. Am. Chem. Soc. 2020.

https://doi.org/10.1021/jacs.0c02227