将单层MoS₂组成多层结构能产生新的功能，通过化学气相沉积方法组装大面积范德瓦尔斯结构的多层MoS₂材料需要多层材料之间的良好耦合作用。图卢兹大学Iann C. Gerber, Bernhard Urbaszek等报道了原位生成的堆叠MoS₂和通过单层MoS₂堆叠形成的多层MoS₂中层间价带的耦合。结果显示，只有在2H模式中堆叠的MoS₂得到离域的空穴，并生成较强的层见激子吸收和A-B激子分离效果。通过2H和3R结构MoS₂进行对比，结果显示层间耦合能量为49 meV。通过DFT密度泛函理论计算，显示2H结构MoS₂层间的耦合和实验结果相互印证。

本文要点：

（1）实验结果显示，3R结构堆叠的MoS₂材料中空穴发生隧穿的过程为对称性禁阻，因此3R结构MoS₂中只有层间的激子传输能够发生。2H双层MoS₂结构影响了A激子和B激子之间的能量有更大的区别（与3R结构的MoS₂相比）。

参考文献

Ioannis Paradisanos, Shivangi Shree, Antony George, Nadine Leisgang, Cedric Robert, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Richard J. Warburton, Andrey Turchanin, Xavier Marie, Iann C. Gerber* & Bernhard Urbaszek*

Controlling interlayer excitons in MoS₂ layers grown by chemical vapor deposition，Nature Commun. 2020, 11, 2391

DOI：10.1038/s41467-020-16023-z

https://www.nature.com/articles/s41467-020-16023-z