大面积范德华结构的组装需要确定通过CVD法在双层中成功进行层间耦合的具体指标。图卢兹大学Iann C. Gerber和Bernhard Urbaszek等人研究了成堆的MoS2同质双分子层样品和单层人工堆叠的双层中的堆叠顺序与价态的层间耦合之间的相关性，这些MoS2均通过CVD生长获得。
本文要点：
1）仅在2H堆叠中允许双层上的空穴离域，并且与3R双层相比，层间的激子吸收性强，且A-B激子的分离也更大。
2）比较2H和3R反射光谱可以提取大约t⊥= 49 meV的层间耦合能。
3）除了DFT计算，还包括激子效应，证实了与2H堆叠有效的层间耦合的特征，该结论与实验结果一致。
Ioannis Paradisanos, et al. Controlling interlayer excitons in MoS2 layers grown by chemical vapor deposition, Nat. Commun., 2020.
DOI: 10.1038/s41467-020-16023-z
