Cu纳米线材料网络具有取代ITO作为先进光电子学器件透明电极的潜力，但是Cu电极在大气环境中容易发生降解，这阻碍了其实际应用，目前厦门大学蔡端俊、李森森，巴基斯坦信德大学等通过低压气相沉积外延生长方法在Cu纳米线网络上生长少量原子层结构的h-BN材料，得到的材料在高湿度（RH 95 %）、真空条件的900 ℃高温、NaOH/H₂O₂溶液中保持了较好的稳定性。得到的Cu纳米线材料显示了高通光性能（~93 %）、高导电性（60.9 Ω/sq）。通过将Cu@h-BN纳米线和液晶材料结合制备了一种智能隐私玻璃，实现了在0.26 s内实现快速透明到不透明的转变。此外，该玻璃具有阻挡中红外光线的作用，实现了节能作用。以上发现说明这种Cu@h-BN材料在高性能的电子器件和光电器件中有广泛的应用前景。

本文要点：

（1）制备反应。CuCl₂·2H₂O和Ni(acac)₂在油胺中混合，在180 ℃中加热4 h，降至室温后加入己烷溶剂得到Cu纳米线材料。将纳米线通过硝酸纤维素膜过滤，随后将含有Cu纳米线网络的硝酸纤维素放置于各种基底上，随后加压处理15 s，将硝酸纤维素膜从基底上剥离，实现了将Cu纳米线网络转移到SiO₂，石英，PET薄膜上。

（2）在Cu上负载原子层厚度的h-BN。在900 ℃中通过H₂/Ar载气携带borazane作为反应气。在900 ℃ 10^-4 Torr中反应1 min实现了负载原子层厚度的BN。随后从加热区快速脱离实现快速冷却。通过循环多次反应，控制BN厚度。

（3）智能转变玻璃。将8 μm厚的间隔物放置在两个Cu@h-BN导电玻璃之间，随后在真空气氛中紧密放置3 min，随后通过UV光照射2 min；随后将PDLC聚合物在85 ℃中注射到两块导电玻璃之间；最后将Ag负载到边缘作为电极。

参考文献

Guozhen Liu, Jun Wang, Yahao Ge, Yuejin Wang, Shiqiang Lu, Yang Zhao, Yan Tang, Abdul Majid Soomro, Qiming Hong, Xiaodong Yang, Fuchun Xu, Sensen Li*, Lu-Jian Chen, Duanjun Cai*, and Junyong Kang

Cu Nanowires Passivated with Hexagonal Boron Nitride - An Ultra-Stable, Selectively Transparent Conductor，ACS Nano 2020

DOI：10.1021/acsnano.0c00109

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c00109