硅基材料显示出巨大的潜力，并已在各个领域进行了广泛的研究。与其无与伦比的理论上可作为电池负极的能力不同，很少有关于在超级电容器中使用硅基材料的研究报道。日本国立材料科学研究所Jie Tang等人报道了一种由层状硅基纳米片组成的电极，该电极是通过氧化和剥离获得的，用于电位窗口为4 V的超级电容器。

本文要点：

1）通过低温溶液法将CaSi₂氧化和剥离后合成了2D Si基纳米片（TSNs）。与其他硅基材料不同，这些TSN具有硅基材料本身的电化学性能，而且由于其2D结构和附着的官能团具有独特的优势。受益于这些，TSN作为超级电容器的电极材料具有巨大的潜力。

2）这些基于硅的纳米片在10 mV s^-1时显示出4.43 mF cm^-2的面积比电容，而即使在50000 mV s^-1的超高扫描速率下仍保持834 µF cm^-2的比电容。超级电容器的体积和功率能量密度分别为7.65 mWh cm^-3和9312 mW cm^-3，并且该电极可以在2 A g^-1的4 V电位窗口中运行12000个周期，同时保持90.6％电容。

Runsheng Gao, et al. Layered Silicon‐Based Nanosheets as Electrode for 4 V High‐Performance Supercapacitor, Adv. Funct. Mater., 2020.

DOI: 10.1002/adfm.202002200

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.202002200