半导体纳米线通常在高价晶体基板上生长，因为由于高温要求和基板准备，直接在塑料和柔性基板上生长极具挑战性。同时，塑料基材可提供许多优势，例如极低的价格，重量轻，机械柔韧性，抗冲击性和耐热性以及生物相容性。

有鉴于此，芬兰阿尔托大学Vladislav Khayrudinov，Tuomas Haggren报道了通过金属有机气相外延（MOVPE）在柔性塑料基板上直接生长高质量的III-V纳米线。这些基板的厚度仅为25 µm，因此所需的PI量很小，从而进一步降低了预期的总成本。

文章要点

1）研究人员在聚酰亚胺上合成InAs和InP纳米线，所制造的NWs具有光学活性，并且在中红外范围内具有强光发射。此外，可以调节生长参数以形成导电网络，该导电网络允许与半导体直接电接触，而无需在生长之前进行任何金属沉积步骤。因此仅需两个制造步骤就可以在塑料上创建基于整体柔性纳米线的p-n结器件。

2）研究人员证明了III-V纳米线可以直接在MOVPE反应器内的柔性塑料基板上合成，并且结果将进一步推动基于纳米线的柔性电子设备的开发。

Vladislav Khayrudinov, et al, Direct Growth of Light-Emitting III–V Nanowires on Flexible Plastic Substrates, ACS Nano, 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c03184

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c03184