作为信息时代的骨干材料，硅被广泛用作微电子和微系统中的功能半导体和结构材料。在环境温度下，Si的脆性限制了其在设备中的机械应用。近日，苏黎世联邦理工学院Jeffrey M. Wheeler等人证明了通过现代光刻工艺处理的硅由于具有较高的表面质量，在微米尺度上表现出超高的弹性应变极限，接近理想的强度（剪切强度〜4 GPa）和塑性形变，比使用聚焦离子束制备的样品大一个数量级。
本文要点：
1）通过允许更高的弹性应变来修改带结构，这种扩展的弹性状态能够增强功能特性。
2）Si的微米级可塑性能够研究金刚石结构材料的固有尺寸效应和位错行为。这表明在环境温度下，随着试样尺寸的增加，变形机理从完全位错过渡到部分位错。这项研究展示了制造更坚固的硅基结构的表面工程途径。
Achieving micron-scale plasticity and theoretical strength in Silicon, Nature Communications, 2020.
DOI: 10.1038/s41467-020-16384-5
