目前，钙钛矿发光二极管主要基于利用其激子限制优点的各种形式的纳米结构。 尽管已有报道，但由于难以在现有的，尤其是有机电荷传输层上利用块状或多晶钙钛矿形成高质量薄膜，明显受到限制。韩国成均馆大学Nam-Gyu Park等人对此进行了研究。

本文要点：

1）通过固溶过程成功地制备了具有钙钛矿双层的新结构。研究证明，厚度为300 nm的MAPbCl₃底层可用作HTL，并且在MAPbCl₃薄膜上生长的350 nm厚的CsPbBr3层。与单层CsPbBr3相比，双层结构表现出更高的EQE和改善的使用寿命，并不会增加驱动电压。纳米级MAPbCl₃ HTL有助于提升PeLED。

2）通过在异质结构中利用界面缺陷钝化和应变诱导效应观察到增强的结晶度和延长的光致发光。这种方法可以制造出高性能的发光二极管，并且还可以扩展到其他钙钛矿设备。

Dong-Ho Kang et al. CsPbBr₃/CH₃NH₃PbCl₃ Double Layer Enhances Efficiency and Lifetime of Perovskite Light Emitting Diode, ACS Energy Lett. 2020.

DOI：10.1021/acsenergylett.0c01036

https://doi.org/10.1021/acsenergylett.0c01036