尽管化学气相沉积（CVD）方法已广泛用于二维过渡金属二硫化物（2D TMDC）的生长中，但由于精确控制前驱体蒸气的释放是其最关键的生长动力学因素之一，因此2D TMDCs的可控制备仍很困难。

有鉴于此，为解决上述问题，南方科技大学程春研究员，香港科技大Ning Wang报道了在CVD反应中利用覆盖钼源的氧化物抑制剂（OIS）来精准控制钼蒸气的释放。

文章要点

1）针对传统化学气相沉积（CVD）方法的不足，研究人员采用氧化物抑制剂辅助生长（OIAG）技术，成功地制备了二维二卤化钼（MoX₂，X=S，Se，Te）单分子膜。尽管只制备了分离的MoTe₂薄片，但同时获得了厘米级的MoS₂（连续且洁净）和MoSe₂（连续点状）单分子膜。

2）研究人员详细研究了Mo：X原子比对最终产物的影响以及OIAG的潜在机理。

OIAG方法可以全面了解和精确控制反应动力学，以改善2D MoX₂的生长。

Run Shi, et al, Oxide Inhibitor-Assisted Growth of Single-Layer Molybdenum Dichalcogenides (MoX₂, X=S, Se, Te) with Controllable Molybdenum Release, ACS Nano, 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c03469

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c03469