化学气相沉积(CVD)以其良好的可控性和均匀性成为工业化生产石墨烯薄膜的一种极具吸引力的方法。然而，在传统的热壁CVD系统中，CVD制备的石墨烯薄膜在高温生长过程中由于气相反应而受到表面污染，污染物主要是无定形碳。

有鉴于此，北京大学彭海琳教授，刘忠范院士，曼彻斯特大学李林教授报道了冷壁CVD系统能够抑制气相反应，实现了石墨烯薄膜的可控超洁净生长。

文章要点

1）实验结果表明，冷壁CVD（CW-CVD）具有独特的热分布，是大面积生长超清洁石墨烯薄膜的理想系统，同时气相温度明显降低，显著抑制了气相反应。

2）所制备的超清洁石墨烯薄膜具有良好的光学和电学性能，是一种理想的透明电极和外延生长衬底材料。

本研究成果为高质量石墨烯薄膜的工业化生产提供了一种新的途径，对未来石墨烯CVD生长的研究具有指导意义。

Kaicheng Jia, et al, Superclean growth of graphene using cold-wall chemical vapor deposition approach, Angew. Chem. Int. Ed., 2020

10.1002/anie.202005406

https://doi.org/10.1002/anie.202005406