信息时代伴随着数据的指数增殖，需要开发数据密度更高的新型存储器、材料、设备。其中重要的发展可能在于开发单分子级别电学上可以控制的单分子存储器件。加州大学Davis分校Joshua Hihath，查尔姆斯理工大学Kasper Moth‐Poulsen等开发了一种单分子存储器中，数据信息通过电压控制中两种异构体进行编码，通过对不同异构体的导电性变化检测其状态。其中两种不同的异构体状态通过加电-加热过程实现可逆的调控。单分子系统的I-V曲线同样展示了其编码/储存信息的作用。
器件中关键的分子结构为双环降冰片二烯和苯乙炔链构成，器件的工作状态通过双环降冰片二烯中两个环上的双键在加热/加电过程中[2+2]成环过程实现，并通过加电进行开环重新生成双键。分子通过巯基结合到Au电极上。随后对该分子体系的调变性能进行表征，结果显示在300 K进行调控，分子在0.75 V和1.5 V中分别体现出两种不同结构；并且在78 K中展示出类似的调控能力。
参考文献
Haipeng B. Li, Behabitu, E. Tebikachew, Cedrik Wiberg, Kasper Moth‐Poulsen*, Joshua Hihath*
A Memristive Element Based on an Electrically Controlled Single‐Molecule Reaction, Angew. Chem. Int. Ed. 2020
DOI：10.1002/anie.202002300
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202002300
