过渡金属硫化物二维材料目前正受到广泛关注，这是由于其有望在下一代电子学器件（逻辑器件、光电器件、可穿戴器件）中得到重要应用，但是器件的制备过程通常具有复杂性，并阻碍了其实际应用。韩国科学技术院Seoung-Ki Lee、首尔国立大学Byung Hee Hong等报道了在晶圆规模大量直接快速合成层数可控的MoS₂、WS₂材料，该合成方法中通过温和气氛中的脉冲激光煅烧方法（λ = 1.06 μm，脉冲时长~100 ps）进行MoS₂、WS₂合成，在该方法中二维过渡金属硫化物前驱体材料能够吸收激光发出的能量，并在ns内迅速的热解，并因此在不损坏SiO₂或聚合物基底的条件中实现合成二维过渡金属硫化物材料。

本文要点：

（1）

通过实验和理论研究结合，建立了合成过程中需要的最优条件、脉冲激光的强度和作用时长，并且实现了在4英尺晶圆上合成均一的MoS₂、WS₂。此外，通过在合成的过渡金属硫化物上进一步进行生长，构建了WS₂/MoS₂异质结结构。作者通过构建MoS₂场效应晶体管、可负载在皮肤上的传感器、MoS₂/WS₂异质结二极管，验证了这种制备二维过渡金属硫化物的实用性。这种方法的制备速度快，具有能在溶液相中进行合成的特点，适用于大规模合成。

参考文献

Seoungwoong Park, Aram Lee, Kwang-Hun Choi, Seok-Ki Hyeong, Sukang Bae, Jae-Min Hong, Tae-Wook Kim, Byung Hee Hong*, and Seoung-Ki Lee*,

Layer-Selective Synthesis of MoS₂ and WS₂ Structures under Ambient Conditions for Customized Electronics, ACS Nano 2020

DOI：10.1021/acsnano.0c02745

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c02745