二维材料通过离子液体作用的静电门控能够产生高表面电荷载流子密度的累积,并经常在2D材料器件中使用,但是离子液体的液体性质、湿度敏感、冷冻液体时导致的应力作用阻碍了离子液体作为静电门控的应用。得克萨斯大学奥斯汀分校Deji Akinwande等报道了一种锂离子固体电解质材料,并在高活性门控n-MoS2和p-WSe2器件中展现了60 mV/dec的阈值,同时互补逆变器放大器增益达到34,这个数值要高于其他对比放大器的数值。特别的是,这些引人注意的性能在1 V能量值中测试得到。
作者通过微波阻抗显微镜对器件的沟道进行研究,发现二维材料和底部电极基底之间的界面非常平整。该结果展示了锂离子分子可能用于替代离子液体用于高效薄膜器件的制备。对n-MoS2 FET器件的载流子输运性能进行研究,结果显示4 L MoS2的开关比达到106,场效应载流子效应达到~20 cm2V-1s-1;对2 L,4 L,~14 nm厚的p-WSe2 FET器件的载流子输运性能进行研究,结果显示都达到~107的开关比,同时磁滞电压<120 mV。
参考文献
Md Hasibul Alam, Zifan Xu, Sayema Chowdhury, Zhanzhi Jiang, Deepyanti Taneja, Sanjay K. Banerjee, Keji Lai, Maria Helena Braga & Deji Akinwande*
Lithium-ion electrolytic substrates for sub-1V high-performance transition metal dichalcogenide transistors and amplifiers. Nature Commun 2020
DOI:10.1038/s41467-020-17006-w
https://www.nature.com/articles/s41467-020-17006-w