电磁干扰（EMI）可能会导致关键应用中的通信中断，从而导致潜在的灾难性后果。随着电子产品变得便携、小型化和可穿戴化，传统的EMI屏蔽材料需要很大的厚度才能有效，这妨碍了设计的灵活性。二维过渡金属碳化物和氮化物（MXenes）由于其电导率高、在电磁屏蔽和其他应用中具有优异的性能，近年来引起了人们的广泛关注。MXene的大面积独立式薄膜对于应用中的多功能性很重要，然而其大规模的工业化生产仍然是一项较大的挑战。

有鉴于此，纽约大学André D. Taylor教授和德雷克塞尔大学Yury Gogotsi教授等人，提出了通过滴铸在疏水性基质上制备Ti₃C₂T_x MXene独立薄膜的方法。

本文要点

1）只需使用预先构图的基板，就可以在三维上对这些薄膜进行构图，从而大大提高了标准化EMI屏蔽效率。使用可扩展且允许高通量的方法制备的这些微图案化MXene膜可轻松用于EMI屏蔽，能量存储和光电应用。

2）采用滴铸法制备的独立MXene薄膜可以制备成大面积(>125 cm²)和高厚度(23.2μm)，表面光滑(14 nm RMS粗糙度)，同时保持高导电性(约7000 S cm⁻¹)。

3）此外，这些MXene薄膜可以通过在商用的微结构塑料上加工形成三维微图形，与平面薄膜相比，其电磁干扰屏蔽效率提高了38%。

总之，该工作提出的策略为MXene独立薄膜的产业化提供了一个可扩展的路径。

参考文献：

Jason Lipton et al. Scalable, Highly Conductive, and Micropatternable MXene Films for Enhanced Electromagnetic Interference Shielding. Matter, 2020.

DOI: 10.1016/j.matt.2020.05.023

https://doi.org/10.1016/j.matt.2020.05.023