钾长石Cu₂ZnSnS₄材料是一种有吸引力的廉价、分布广泛、稳定的半导体光伏材料，目前报道的Cu₂ZnSnS₄光伏薄膜太阳能电池器件的光电效率仅仅为11 %，这是由于antisite位点缺陷和较差的异质结界面产生的开路电压较低，填充因子较小导致。深圳大学Zhenghua Su、范平，中南大学刘芳洋等报道了后煅烧方法用于Cd合金化的Cu₂ZnSnS₄材料器件，并且这种后煅烧方法显著改善了ITO性能，并促进电池的层间元素的合适扩散程度。通过这种电池中Cu，Zn，In，Sn元素的扩散，界面上的电子/空穴浓度显著的改善，因此载流子传输相关的能带实现了更好的对齐。此外，这种后煅烧处理方法抑制了界面缺陷、深能级，并且降低非辐射复合过程。因此，器件的开路电压和填充因子都得以提高，实现了高于12 %的电池效率。

本文要点：

（1）

通过后煅烧处理过程，改善了界面上载流子的传输过程，抑制了缺陷态、深能级缺陷，同时缓解了交叉效应，red kink效应。作者通过对比后煅烧处理实验，验证了太阳能电池中界面上元素在一定程度上的扩散作用有效的改善了能级的对齐现象，改善了异相界面的工作性能。

参考文献

Zhenghua Su*, Guangxing Liang, Ping Fan*, Jingting Luo, Zhuanghao Zheng, Zhigao Xie, Wei Wang, Shuo Chen, Juguang Hu, Yadong Wei, Chang Yan, Jialiang Huang, Xiaojing Hao, Fangyang Liu*

Device Postannealing Enabling over 12% Efficient Solution‐Processed Cu₂ZnSnS₄ Solar Cells with Cd²⁺ Substitution, Adv. Mater. 2020

DOI：10.1002/adma.202000121

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202000121