通过堆叠和扭曲方法构建范德瓦尔斯异质结能够用于moiré超晶格结构的构建，在过渡金属硫化物的moiré超晶格中存在激子俘获，Mott绝缘态，超导态等量子态，同时能够作为独特的Hubbard体系，其中的电子态能够进行探测和调控。并且在结构上这种扭曲结构会形成原子级别的重构，并且会生成moiré畴。但是由于这种moiré畴导致的原子级别重构导致的电子、激子性质变化情况仍没有很好理解。哈佛大学Hongkun Park、曼彻斯特大学Vladimir I. Fal’ko等报道了扭角在0°附近的MoSe2/MoSe2双层扭角材料体系，实现了通过远场光学方法对每个畴区域的激子性质进行考察。
这种MoSe2/MoSe2扭角体系中展现了破镜/反演对称性，并且展现出AB和BA畴中的界面层间相反芳香激子面外电偶极矩。基态的Γ–K层间激子能够在外加电场中发生翻转，然而更高能量的K-K层间激子会由于发生场不对称杂化作用。本研究结果说明了这种二维过渡金属硫化物材料体系中晶体的对称性能够对激子产生影响，并可能用于实现非常见的拓扑系统，通过对畴的控制构建超表面，量子发射阵列等。
作者通过MoSe2/MoSe2中的扭角处理构建了AB/BA两种畴结构，并且通过扭角和面外电场的控制能生成不同的偶极激子阵列结构。此外，通过场依存偶极翻转作用能将相互吸引的激子相互作用调整为相互排斥的状态。
参考文献
Jiho Sung, Vladimir I. Fal’ko* & Hongkun Park* et. al.
Broken mirror symmetry in excitonic response of reconstructed domains in twisted MoSe2/MoSe2 bilayers. Nat. Nanotechnol. (2020)
DOI：10.1038/s41565-020-0728-z
https://www.nature.com/articles/s41565-020-0728-z
