位于晶粒或晶界的缺陷工程对功能材料的开发至关重要。尽管在体相材料的离子和等离子体辐射过程中缺陷的形成，迁移和湮灭引起了人们的关注，但由于实验的局限性，这些过程很少在低尺寸材料中进行评估，在微米范围内也仍未进行光谱学研究。近日，加拿大蒙特利尔大学L. Stafford等报道了使用具有高选择性和衍射受限空间分辨率的高光谱拉曼成像方案来检查等离激元诱导的多晶石墨烯薄膜中的损伤。
本文要点：
1）研究发现，在极低能量（11-13 eV）离子轰击之前和之后进行的测量显示，石墨烯晶粒中的缺陷产生遵循零维缺陷曲线，而畴边界倾向于发展为一维缺陷。
2）晶粒边界处的损伤要比晶粒内部慢，这归因于其优先自我修复的行为。石墨烯中局部缺陷迁移和结构恢复的这一证据揭示了二维材料晶界处化学和物理过程的复杂性。
该工作提供了对2D材料未来设计和工程的见识，并要求更好地考虑多晶材料的一个重要但经常被边缘化的特征：晶界。
P. Vinchon, et al. Preferential self-healing at grain boundaries in plasma-treated graphene. Nat. Mater., 2020
DOI: 1038/s41563-020-0738-0
