ACS Nano:单层WSe2中的暗激子观测
纳米技术 纳米 2020-07-21

单层过渡金属硫化物中的两个自旋分裂谷(spin-split valley)通过自旋、谷量子数能够对丰富的激子种类进行区分。虽然自旋-0的谷内激子(通常被称为“明亮”激子)能够轻松的观测导,但是其他类型的(比如自旋-1的自旋暗谷内激子,自旋-0的动量暗谷内激子)难以在实验中观测。因此,麻省大学阿默斯特分校Jun Yan,Amir Arbabi等报道了一种波导耦合的单层WSe2器件中表征这种难以观测的激子。特别是,耦合到原子层WSe2中的面外偶极矩能够实现有效的收集自旋-1的暗激子,这使得开发具有较长谷寿命的器件有更大的可能性。这个工作展示了几种通过上转换方法进行将自旋-0和自旋-1的谷内、谷间激子建立联系,展示了原子层材料中的谷内散射、自旋翻转过程的普遍存在。

本文要点

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作者在单层WSe2中发现了Xd-Xir的下转换过程和Xir -Xd的上转换过程,进一步说明了暗激子和谷间激子能够有效的进行相互转换。虽然三种不同激子具有不同的自旋性质、谷性质,在过渡金属硫化物单层材料中这些量子数能够进行有效的转换。在非常低的温度和具有较大动量的声子占比较少时,激子同样能够用数十meV的能量实现上转化形成其他类型激子,并且能进行谷、自旋调控。此外,作者认为本实验中无法观测到的谷间自旋翻转激子、间接激子由K点附近的空穴和K点-布里渊区中心之间的电子形成。并且这种激子的能量同样低于亮激子,可能同样和其他三种激子同时存在。

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参考文献

Yueh-Chun Wu, Sarath Samudrala, Andrew McClung, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Amir Arbabi*, and Jun Yan*

Up- and Down-Conversion between Intra- and Inter-Valley Excitons in Waveguide Coupled Monolayer WSe2, ACS Nano 2020

DOI:10.1021/acsnano.0c04397

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c04397


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