大多数的二维过渡金属硫化物材料化学气相沉积合成方法中通过极少量前驱分子进而得到通常负载于基底上的大面积单晶材料。台湾中央研究院原子与分子科学研究所Kuei-Hsien Chen、Po-Wen Chiu，台湾大学Po-Hsun Ho、Li-Chyong Chen等报道了一种自封盖气相沉积反应合成大面积连续MoS₂薄膜材料。

本文要点：

（1）

在该合成方法中，作者通过MoO₃和NaF的低共熔反应（eutectic reaction）形成液相中间体Na₂Mo₂O₇，随后通过硫化过程生成MoS₂。形成的MoS₂晶粒作为封装层降低成核密度的同时，促进横向生长。

（2）

作者在调节反应的动力后，实现了大面积单层/双层材料（1.1 mm×200 μm）以及通过创纪录的450 μm晶粒在厘米级别大小的基底上实现全覆盖（450 μm）薄膜。作者进一步将这种全覆盖基底（1.5 cm×1.5 cm）制作成场效应晶体管器件，分别对单层/双层的材料展现了33，49 cm² V⁻¹ s⁻¹的高迁移率，和较高的开关比（1~5×10⁸）。

参考文献

Ming-Chiang Chang, Po-Hsun Ho*, Mao-Feng Tseng, Fang-Yuan Lin, Cheng-Hung Hou, I-Kuan Lin, Hsin Wang, Pin-Pin Huang, Chun-Hao Chiang, Yueh-Chiang Yang, I-Ta Wang, He-Yun Du, Cheng-Yen Wen, Jing-Jong Shyue, Chun-Wei Chen, Kuei-Hsien Chen*, Po-Wen Chiu* & Li-Chyong Chen*

Fast growth of large-grain and continuous MoS₂ films through a self-capping vapor-liquid-solid method, Nature Commun. 2020

DOI：10.1038/s41467-020-17517-6

https://www.nature.com/articles/s41467-020-17517-6