二维半导体材料中，MoS₂是一种具有较大前景的材料，并且可能应用于下一代电子器件，但是这种材料中MoS₂和金属之间的接触有较大问题，限制了其在实际器件中的工作性能。有鉴于此，纽约州立大学布法罗分校Fei Yao，Huamin Li等报道了一种二维单层结构六方晶相h-BN材料用于修饰MoS₂并形成金属-绝缘-半导体（MIS）接触结构，这种结构的新颖，作者发现这种结构能够增强载流子在MIS界面上的传输性能。

本文要点：

（1）

作者发现当电子从半导体转移到导体中，接触电阻显著降低；但是当电子从导体转移到半导体中，接触电阻没有受到影响。作者认为该现象是由于载流子收集屏障导致，作者通过变温测试发现了负肖特基势垒高度，这种载流子收集屏障对晶体管的整体性能起到关键作用。

参考文献

Hemendra Nath Jaiswal, Maomao Liu, Simran Shahi, Sichen Wei, Jihea Lee, Anindita Chakravarty, Yutong Guo, Ruiqiang Wang, Jung Mu Lee, Chaoran Chang, Yu Fu, Ripudaman Dixit, Xiaochi Liu, Cheng Yang, Fei Yao*, Huamin Li*

Diode‐Like Selective Enhancement of Carrier Transport through Metal–Semiconductor Interface Decorated by Monolayer Boron Nitride, Adv. Mater. 2020

DOI：10.1002/adma.202002716

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202002716