目前硅在微电子学中受到了广泛发展，但是由于其光子能量应用的范围局限在可见光、近红外光区域，这是因为其能带范围导致（能带1.12 eV）。由于最近应力工程调控方法的发展，材料的性能，包括能带结构，能够得以调控。有鉴于此，韩国延世大学Jong-Hyun Ahn等报道了应力调控的Si能带结构，实现了构建突破本征吸收范围的Si纳米膜光探测器。
本文要点：
在气压导致的鼓起作用中，这种硅光探测器实现了3.5 %双轴伸缩应力，实现了达到1550 nm光探测范围的Si光探测能力，能够用于自动驾驶车辆的障碍物检测的激光雷达传感器。这种通过气压作用产生三维光电子探测能力的凹凸半球结构，有效的降低了生物眼器件原型的大小。
该器件在20μm×20μm的可伸缩PI基底上负载10 nm厚的Si纳米膜，并通过构建6×6阵列探索了图像构建性能。
参考文献
Ajit K. Katiyar, Kean You Thai, Won Seok Yun, JaeDong Lee and Jong-Hyun Ahn*
Breaking the absorption limit of Si toward SWIR wavelength range via strain engineering, Science Advances 2020
DOI：10.1126/sciadv.abb0576
https://advances.sciencemag.org/content/6/31/eabb0576
